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J-GLOBAL ID：200902133880580177   整理番号：95A0910745

ジシランと亜酸化窒素の低圧化学蒸着による半絶縁性多結晶シリコン

Semi-Insulating Polycrystalline Silicon by Low Pressure Chemical Vapour Deposition from Disilane and Nitrous Oxide.

著者 (4件)： DEHAN E (LAAS-CNRS, Toulouse, FRA) ,  PEDROVIEJO J J (Univ. Barcelona, Barcelona, ESP) ,  SCHEID E (LAAS-CNRS, Toulouse, FRA) ,  MORANTE J R (Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 34  号： 9A  ページ： 4666-4672  発行年： 1995年09月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常,半絶縁性多結晶シリコン膜SiO_x...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (25件)：

• MOCHIZUKI, H. Proc.7th Conf.Solid State Devices. Jpn.J.Appl.Phys. 1976, 15, 41
• HITCHMAN, M. L. J.Cryst.Growth. 1981, 55, 485
• BRUESCH, P. J.Appl.Phys. 1993, 73, 7677
• WIDMER, A. E. J.Electrochem.Soc. 1986, 133, 1880
• MATSUSHITA, T. Jpn.J.Appl.Phys. 1976, 15, 35

タイトルに関連する用語 (5件)： ジシラン ,  亜酸化窒素 ,  低圧化学蒸着 ,  半絶縁性 ,  多結晶シリコン