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J-GLOBAL ID：200902134083665678   整理番号：94A0062827

An effective in-situ O₂ high density plasma clean.

著者 (8件)： REINHARDT K (SEMATECH, Texas) ,  DIVINCENZO B (Applied Materials, California) ,  YANG C-L (Applied Materials, California) ,  ARLEO P (Applied Materials, California) ,  MARKS J (Applied Materials, California) ,  MIKULAN P (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania) ,  GU T (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania) ,  FONASH S (Pennsylvania State Univ., Pennsylvania)
資料名： Surface Chemical Cleaning and Passivation for Semiconductor Processing  (Surface Chemical Cleaning and Passivation for Semiconductor Processing)
ページ： 267-272  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930660  ISBN： 1-55899-213-8  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (1件)： O2