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J-GLOBAL ID：200902134216768203   整理番号：98A0194289

ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文 半導体シリコンカーバイド(SiC)の進展

Progress of Semiconductor Silicon Carbide(SiC).

著者 (1件)： 松波弘之 (京大 大学院)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C-2  (Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2)
巻： J81-C-2  号： 1  ページ： 105-111  発行年： 1998年01月 
JST資料番号： L0196A  ISSN： 0915-1907  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 基板が入手でき,不純物添加による伝導性制御が容易なSiCは,...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (19件)：

• TAIROV, Y. M. General principles of growing large-size single crystals of various silicon carbide polytypes. J. Cryst. Growth. 1981, 52, 146-150
• KURODA, N. Step-controlled VPE growth of SiC single crystals at low temperatures. Ext. Abstr. the 19th Conf. on Solid State Devices and Materials(Tokyo). 1987, 227-230
• BARRETT, D. L. Growth of large SiC single crystals. J. Cryst. Growth. 1993, 128, 358-362
• KIMOTO, T. Step-Controlled Epitaxial Growth of α-SiC and Device Applications. Doctor Thesis, Faculty of Eng., Kyoto Univ. 1995
• ITOH, A. Control of Electrical Properties of 4H-SiC Grown by Vapor Phase Epitaxy for Power Electronic Application. Doctor Thesis, Faculty of Eng., Kyoto Univ. 1995

タイトルに関連する用語 (7件)： ワイドギャップ半導体 ,  応用 ,  論文 ,  半導体シリコン ,  カーバイド ,  SiC ,  進展