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J-GLOBAL ID：200902134228371171   整理番号：01A0775704

直径300mmシリコンウエハ用の1ステップ研削システムの開発 総集積固定研削砥粒溶液

Development of Single Step Grinding System for Large Scale φ300 Si Wafer: A Total Integrated Fixed-Abrasive Solution.

著者 (5件)： EDA H (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  ZHOU L (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  NAKANO H (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  KONDO R (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN) ,  SHIMIZU J (Ibaraki Univ., Hitachi, JPN)
資料名： CIRP Annals (International Inst. for Production Engineering Research)  (CIRP Annals (International Inst. for Production Engineering Research))
巻： 50  号： 1  ページ： 225-228  発行年： 2001年 
JST資料番号： E0026A  ISSN： 0007-8506  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体工業は現在の直径200mmシリコンウエハが2003年迄...

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,...
準シソーラス用語： ステップ研削

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分類 (2件)： 研削  (QC03000R) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 直径 ,  シリコンウエハ ,  研削 ,  開発 ,  集積 ,  砥粒 ,  溶液