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J-GLOBAL ID：200902134671376135   整理番号：99A0169373

(411)A GaAs基板上にMBE成長したN-AlGaAs/GaAs QWのホトルミネッセンス

Photoluminescence from a modulation doped QW grown on (411)A GaAs substrates by MBE.

著者 (5件)： 下村哲 (大阪大 大学院) ,  林英樹 (大阪大 大学院) ,  上野正人 (大阪大 大学院) ,  篠原啓介 (大阪大 大学院) ,  冷水佐寿 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 59th  号： 3  ページ： 1156  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  AlGaAs ,  GaAs ,  ホトルミネッセンス