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J-GLOBAL ID：200902135172744146   整理番号：00A0812136

分子ビームエピタクシーによるSi(001)上のBi₂Sr₂CuO_x膜のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of Bi₂Sr₂CuO_x films onto Si(001) by molecular beam epitaxy.

著者 (5件)： TAMBO T (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  ARAKAWA T (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  SHIMIZU A (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  HORI S (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  TATSUYAMA C (Toyama Univ., Toyama, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 159/160  ページ： 161-166  発行年： 2000年06月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi₂Sr₂Cu...

シソーラス用語： *高温超伝導体 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 分子ビームエピタクシー ,  Si ,  エピタキシャル成長