研究者

J-GLOBAL ID：200901005344015031 更新日: 2020年08月30日

龍山智栄

タツヤマチエイ | Tatsuyama Chiei

所属機関・部署：
職名：教授,工学部長

研究分野 (4件)：電気電子材料工学 , 薄膜、表面界面物性 , 結晶工学 , 応用物性

競争的資金等の研究課題 (6件)：

半導体,超伝導体薄膜の評価に関する研究
半導体,超伝導体の薄膜成長に関する研究
Si-Ge系における超格子とヘテロ接合に関する研究
Studies on the Characterization of Semiconductors and Superconductors Films
Studies on Thin Films Growth of Semiconductors and Supercouductors

全件表示

MISC (63件)：

DV Gruznev, BV Rao, T Tambo, C Tatsuyama. Surface structure evolution during Sb adsorption on Si(111)-In(4 x 1) reconstruction. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2002. 190. 1-4. 134-138
MM Rahman, K Kurumatani, H Matada, T Tambo, C Tatsuyama. Short-period (Si-14/Ge-1)(N) superlattice buffers for growth of Si0.75Ge0.25 alloy layers. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2002. 41. 5A. 2845-2850
T Tambo, A Shimizu, A Matsuda, C Tatsuyama. Stability of two-step-growth Bi2Sr2CuOx films on Si(001) using SrO buffer layer. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2002. 41. 1. 83-85
MBE Grown Short-Period (Si_mGe_n)_N Superlattice (SSLs) and its Effect on the Growth of Uniform Si_0.75Ge_0.25/(SSL)/Si(001) System. Material Science and Technology. 2002. B89, 252-256
MM Rahman, H Matada, T Tambo, C Tatsuyama. Growth of Si0.75Ge0.25 alloy layers grown on Si(001) substrates using step-graded short-period (Si-m/Ge-n)(N) superlattices. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2001. 90. 1. 202-208

もっと見る

学歴 (4件)：

- 1972 大阪大学工学研究科電子工学
- 1972 大阪大学
- 1966 静岡大学工学部電子工学科
- 1966 静岡大学

学位 (1件)：

工学博士 (大阪大学)

委員歴 (3件)：

1996 - 応用物理学会薄膜表面物理分科会幹事
1991 - 電子情報通信学会評議員(支部長)
1988 - 応用物理学会分科会幹事

所属学会 (4件)：

Matenials Research Society , 日本物理学会 , 電子情報通信学会 , 応用物理学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM