陽極酸化により作製したHfO<sub>2</sub>絶縁薄膜の電気的性質

文献

J-GLOBAL ID：200902135399659218 整理番号：02A0698066

陽極酸化により作製したHfO₂絶縁薄膜の電気的性質

Electrical Properties of HfO₂ Thin Insulating Film Prepared by Anodic Oxidation.

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資料名：
巻： 41 号： 8 ページ： 5284-5287 発行年： 2002年08月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

Hf薄膜をRFマグネトロンスパッタリングでガラス基板上に蒸着...

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強誘電体,反強誘電体,強弾性 , 酸化物薄膜 , 金属-絶縁体-金属構造

引用文献 (12件)：

1) J. M. Schoen, R. C. Pitetti and D. Jaffe: J. Electrochem. Soc. 119 (1972) 1215.
2) M. H. Rottersman, M. J. Bill and D. Gerstenberg: IEEE Trans. Components, Hybrids & Manuf. Technol. <B>1</B> (1978) 137.
3) K. Sasaki, K. Hirata, A. Noya and T. Umezawa: Trans. IEICE Electron. J73-C-II (1990) 643 [in Japanese].
4) K. Sasaki, M. Yamane, Y. Abe and A. Noya: Trans. IEICE Electron. J78-C-II (1995) 113 [in Japanese].
5) Japanese Industrial Standard: JIS C 5101; 1998.

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