研究者
J-GLOBAL ID：200901082156916662
更新日: 2022年08月15日
柳沢 英人
ヤナギサワ ヒデト | Yanagisawa Hideto
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所属機関・部署：
北見工業大学 工学部 電気電子工学科
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職名：
助手
研究分野 (1件)：
電気電子材料工学
研究キーワード (2件)：
電子・電気材料工学
, Electronic and Electric Materials Engineering
競争的資金等の研究課題 (2件)：
薄膜を中心にした電子材料の研究
Study on Electronic Materials with Thin film
MISC (21件)：
H Yanagisawa, M Kamijyo, S Shinkai, K Sasaki, Y Abe, M Yamane. Electrical properties of HfO2 thin insulating film prepared by anodic oxidation. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2002. 41. 8. 5284-5287
Electrical properties of HfO
2
thin insulating film prepared by anodic oxidation. Jpn. J. Appl. Phys. 2002. 41(8), 5284-5287
Preparation of a contact system with a single - oriented (III)Al overlayer by inter posing a thin ZrN/Zr bilayered barrier applicable to sub-0.25-μm design rule. Jpn. J. Appl. Phys. 2001. 40(6A), 4193-4194
Realization of Cu(III) single - oriented state on SiO
2
by annealing Cu-Zr film and the thermal stability of Cu-Zr/ZrN/Zr/Si contact system. Jpn. J. Appl. Phys. 2001. 40(7), 4661-4665
Preparation of a contact system with a single - oriented (III)Al overlayer by inter posing a thin ZrN/Zr bilayered barrier applicable to sub-0.25-μm design rule. Jpn. J. Appl. Phys. 2001. 40(6A), 4193-4194
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学位 (1件)：
博士(工学) (北見工業大学)
所属学会 (2件)：
応用物理学会
, 電子情報通信学会
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