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J-GLOBAL ID：200902135439611558   整理番号：96A0347437

O₂プラズマ暴露中の薄いゲート酸化物と酸窒化物のプラズマ損傷と光アニーリング効果

Plasma Damage and Photo-Annealing Effects of Thin Gate Oxides and Oxynitrides During O₂ Plasma Exposure.

著者 (4件)： LAI K (Rockwell International, CA, USA) ,  KUMAR K (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  CHOU A (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  LEE J C (Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 17  号： 3  ページ： 82-84  発行年： 1996年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： O₂プラズマ環境中で全体を覆ったものと...

シソーラス用語： プラズマ曝露 ,...
準シソーラス用語： 光アニーリング

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： O2 ,  プラズマ暴露 ,  ゲート酸化物 ,  酸窒化物 ,  プラズマ損傷 ,  アニーリング効果