Cl2/Ar,CH4/H2/Ar,ICl/Ar及びIBr/Ar中のIII~V族窒化物の選択的ドライエッチング

VARTULI C B; PEARTON S J; MACKENZIE J D; ABERNATHY C R; SHUL R J

文献

J-GLOBAL ID：200902135597205303 整理番号：96A0998535

Cl₂/Ar,CH₄/H₂/Ar,ICl/Ar及びIBr/Ar中のIII~V族窒化物の選択的ドライエッチング

Selective Dry Etching of III-V Nitrides in Cl₂/Ar, CH₄/H₂/Ar, ICl/Ar, and IBr/Ar.

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資料名：
巻： 143 号： 10 ページ： L246-L248 発行年： 1996年10月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマ及び反応性イオンエッ...

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固体デバイス製造技術一般

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