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J-GLOBAL ID：200902135851435365   整理番号：01A0398241

SiO₂上の非晶質Siのイオンビーム刺激固相結晶化

Ion-beam stimulated solid-phase crystallization of amorphous Si on SiO₂.

著者 (4件)： MIYAO M (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TSUNODA I (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SADOH T (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KENJO A (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 383  号： 1/2  ページ： 104-106  発行年： 2001年02月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂上a-Siの固相結晶化へのイオ...

シソーラス用語： 二酸化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiO2 ,  非晶質Si ,  イオンビーム ,  刺激 ,  固相 ,  結晶化