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J-GLOBAL ID：200902136106395900   整理番号：95A0062364

二酸化けい素で囲まれたシリコン量子細線の作製とその輸送特性

Fabrication of a silicon quantum wire surrounded by silicon dioxide and its transport properties.

著者 (7件)： NAKAJIMA Y (NTT LSI Lab., Atsugi, JPN) ,  TAKAHASHI Y (NTT LSI Lab., Atsugi, JPN) ,  HORIGUCHI S (NTT LSI Lab., Atsugi, JPN) ,  IWADATE K (NTT LSI Lab., Atsugi, JPN) ,  NAMATSU H (NTT LSI Lab., Atsugi, JPN) ,  KURIHARA K (NTT LSI Lab., Atsugi, JPN) ,  TABE M (NTT LSI Lab., Atsugi, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 65  号： 22  ページ： 2833-2835  発行年： 1994年11月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記量子細線の新しい作製法を提案した。SIMOX法,電子ビー...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 一次元輸送

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 二酸化けい素 ,  シリコン ,  量子細線 ,  作製 ,  輸送特性