有機低k誘電材料のCH4/N2プラズマエッチング

文献

J-GLOBAL ID：200902136502087445 整理番号：02A0809580

有機低k誘電材料のCH₄/N₂プラズマエッチング

CH₄/N₂ Plasma Etching for Organic Low-k Dielectric Material.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=02A0809580&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0809580&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (5件)： , , , ,
資料名：
巻： 41 号： 9 ページ： 5775-5781 発行年： 2002年09月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

磁気中性線放電プラズマエッチングによりCH4</s...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0809580&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

固体デバイス製造技術一般

引用文献 (6件)：

1) N. Aoi, E. Tamaoka, M. Yamanaka, S. Hirao, T. Ueda and M. Kubota: Symp. VLSI Technology, 1999, p. 41.
2) R. D. Goldblatt, B. Agarwala, M. B. Anand, E. P. Barth, G. A. Biery, Z. G. Chen, S. Cohen, J. B. Connolly, A. Cowley, T. Dalton, S. K. Das, C. R. Davis, A. Deutsch, C. DeWan, D. C. Edelstein, P. A. Emmi, C. G. Faltermeier, J. A. Fitzsimmons, J. Hedrick, J. E. Heidenreich, C. K. Hu, J. P. Hummel, P. Jones, E. Kaltalioglu, B. E. Kastenmeier, M. Krishman, W. F. Landers, E. Liniger, J. Liu, N. E. Lustig, S. Malhotra, D. K. Manger, V. McGahay, R. Mih, H. A. Nye, S. Purushothaman, H. A. Rathore, S. C. Seo, T. M. Shaw, A. H. Simon, T. A. Spooner, M. Stetter, R. A. Wachnik and J. G. Ryan: Proc. IITC, 2000, p. 261.
3) W. Chen, T. Hayashi, M. Itoh, Y. Morikawa, K. Sugita, H. Shindo and T. Uchida: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 4296.
4) M. Fukasawa, T. Hasegawa, S. Hirano and S. Kadomura: Proc. Dry Process Symp., 1999, p. 221.
5) M. Fukasawa, T. Tatsumi, T. Hasegawa, S. Hirano, K. Miyata and S. Kadomura: Proc. Dry Process Symp., 1998, p. 175.

, ,

前のページに戻る