低エネルギーイオン散乱分光法によるSi層中のHe<sup>+</sup>阻止のその場測定

文献

J-GLOBAL ID：200902136565668324 整理番号：96A0418066

低エネルギーイオン散乱分光法によるSi層中のHe⁺阻止のその場測定

In-Situ Measurement of He² Stopping in Si Layers by Low-Energy Ion-Scattering Spectroscopy.

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巻： 35 号： 3 ページ： 1937-1939 発行年： 1996年03月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

低エネルギーイオン散乱分光法を用いて,非晶質Si(a-Si)...

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チャネリング,ブロッキング,粒子のエネルギー損失

引用文献 (8件)：

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