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J-GLOBAL ID：200902137090996328   整理番号：98A0745876

エピタキシャル横方向被覆成長により形成したGaN膜中の欠陥の透過型電子顕微鏡による研究

Transmission electron microscopy of defects in GaN films formed by epitaxial lateral overgrowth.

著者 (3件)： SAKAI A (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SUNAKAWA H (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  USUI A (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 73  号： 4  ページ： 481-483  発行年： 1998年07月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂マスク/窓ストライプパターンを...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： VPE成長

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  横方向被覆成長 ,  GaN ,  欠陥 ,  透過型電子顕微鏡 ,  研究