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J-GLOBAL ID：200902137197636588   整理番号：00A0428864

SEMにおける二次電子ドーパントコントラストに対する機構

Mechanism for secondary electron dopant contrast in the SEM.

著者 (3件)： SEALY C P (Univ. Oxford, Oxford, GBR) ,  CASTELL M R (Univ. Oxford, Oxford, GBR) ,  WILSHAW P R (Univ. Oxford, Oxford, GBR)
資料名： Journal of Electron Microscopy  (Journal of Electron Microscopy)
巻： 49  号： 2  ページ： 311-321  発行年： 2000年 
JST資料番号： G0104A  ISSN： 0022-0744  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーパントの分布を地図化するために走査電子顕微鏡(SEM)に...

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

引用文献 (26件)：

• MALTA, D P. Secondary electron emission enhancement and defect contrast from diamond following exposure to atomic hydrogen. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1929-1931
• SHIH, A. Secondary electron emission from diamond surfaces. J. Appl. Phys. 1997, 82, 1860-1867
• CASTELL, M R. Electronic contribution to secondary electron compositional contrast in the scanning electron microscope. Ultramicroscopy. 1997, 69, 279-287
• HOMMA, Y. Atomic configuration dependent secondary electron emission from reconstructed silicon surfaces. Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 3276-3278
• AVEN, M. Scanning electron microscopy and cathodoluminescense of ZnSe_xTe_<1-x p-n> junctions. J. Appl. Phys. 1972, 43, 4136-4142

タイトルに関連する用語 (4件)： SEM ,  二次電子 ,  ドーパント ,  コントラスト