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J-GLOBAL ID：200902137205142018   整理番号：93A0628441

GaAs微細加工基板上へMBE成長したGaAs/AlAs多層構造のTEM観察

TEM study of MBE-Grown GaAs/AlAs multilayer structures on submicron patterned GaAs substrate.

著者 (9件)： LIU Y (大阪大 基礎工) ,  下村哲 (大阪大 基礎工) ,  冷水佐寿 (大阪大 基礎工) ,  蒲生健次 (大阪大 極限物質研セ) ,  安立明 (日新電機) ,  佐野直克 (関西学院大 理) ,  山本悌二 (ATR光電波通信研) ,  藤井元忠 (ATR光電波通信研) ,  渡辺敏英 (ATR光電波通信研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 1  ページ： 214  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  微細加工 ,  MBE成長 ,  AlAs ,  多層構造 ,  TEM観察