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J-GLOBAL ID：200902137858869550   整理番号：01A0234440

高真空中接触角測定法によるGaAs表面状態の「その場」観察

“In-Situ” Observation of GaAs Surface in High Vacuum by Contact Angle Measurement.

著者 (6件)： 松下浩一 (山形大 工) ,  門原拓也 (山形大 工) ,  中山健 (山形大 工) ,  長沼博 (山形大 工) ,  奥山澄雄 (山形大 工) ,  奥山克郎 (山形大 工)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J84-C  号： 2  ページ： 136-143  発行年： 2001年02月01日 
JST資料番号： S0623C  ISSN： 1345-2827  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高真空中で20~550°Cの範囲の基板温度に保たれたGaAs基...

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (15件)：

• ISRAEL, S. C. Characterization of polymer surfaces by laser contact angle goniometry. ACS Polym. Prepr. 1989, 30, 328-329
• MATSUSHITA, K. Observation of HCl- and HF-treated GaAs surfaces by measuring contact angles of water droplets. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 8, 4576-4580
• MATSUSHITA, K. Hydrofluoric-treated GaAs surfaces analyzed by contact angle measurement and Auger electron spectroscopy. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, 10, 5293-5296
• MATSUSHITA, K. Hydrophobicity of a hydrochloric-treated GaAs surfaces analyzed by contact angle measurement. J. Electrochem. Soc. 1998, 145, 4, 1381-1384
• 佐藤康博. 接触角を用いたHF 処理後の高濃度ドープ Si 表面の評価. 信学技報. 1992, SDM92-17

タイトルに関連する用語 (4件)： 高真空 ,  角測定法 ,  GaAs ,  観察