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J-GLOBAL ID：200902137866500433   整理番号：97A0550289

(775)B GaAs基板上にMBE成長した自己形成型高密度GaAs量子細線の光学的特性

Optical properties of self-organized high-density GaAs QWRs grown on (775)B GaAs substrates by MBE.

著者 (7件)： 東脇正高 (大阪大 基礎工) ,  山本昌則 (大阪大 基礎工) ,  下村哲 (大阪大 基礎工) ,  冷水佐寿 (大阪大 基礎工) ,  伊藤正治 (神戸大 工) ,  小川真人 (神戸大 工) ,  三好旦六 (神戸大 工)
資料名： 日本物理学会講演概要集(年会)  (日本物理学会年会予稿集)
巻： 52  号： 1 Pt 2  ページ： 234  発行年： 1997年03月 
JST資料番号： S0671A  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  自己形成 ,  高密度 ,  GaAs ,  量子細線 ,  光学的特性