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J-GLOBAL ID：200902138148848207   整理番号：99A0169433

SiCl4/Ar誘導結合型プラズマ(ICP)によるInPのドライエッチング

Dry etching of InP by inductively coupled plasma(ICP) using SiCl4/Ar.
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著者 (3件)：
松谷晃宏

松谷晃宏 について

(東京工大)

東京工大 について

, 
小山二三夫

小山二三夫 について

(東京工大)

東京工大 について

, 
伊賀健一

伊賀健一 について

(東京工大)

東京工大 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 59th  号： 3  ページ： 1176  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
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SiCl4

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Ar

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誘導結合型プラズマ

誘導結合型プラズマ について

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ICP

ICP について

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InP

InP について

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ドライエッチング

ドライエッチング について


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