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J-GLOBAL ID：200902138569016197   整理番号：00A0114782

GaN/AlNバッファが付いた(0001)6H-SiC上にMOVPEにより成長させたAlN層における歪制御の可能性

Possibility of Strain Control in AlN Layer Grown by MOVPE on (0001) 6H-SiC with GaN/AlN Buffer.

著者 (8件)： KURIMOTO M (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  NAKADA T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  ISHIHARA Y (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  SHIBATA M (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  TAKANO T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO J (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  HONDA T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWANISHI H (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applied Research  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 176  号： 1  ページ： 665-669  発行年： 1999年11月16日 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (GaN/AlN)バッファ層が付いた(0001)6H-SiC...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaN ,  AlN ,  バッファ ,  6H-SiC ,  MOVPE ,  成長 ,  歪制御 ,  可能性