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J-GLOBAL ID：200902138646850502   整理番号：02A0795626

能動領域のP型変調ドーピングによる低しきい値高T01.3μmInAs量子ドットレーザ

Low-Threshold High-To 1.3-μm InAs Quantum-Dot Lasers Due to P-type Modulation Doping of the Active Region.
著者 (2件)：
SHCHEKIN O B

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(Univ. Texas at Austin, TX, USA)

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, 
DEPPE D G

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(Univ. Texas at Austin, TX, USA)

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資料名：
IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)

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巻： 14  号： 9  ページ： 1231-1233  発行年： 2002年09月 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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P型ドーピングを用いて高特性温度(T0...
シソーラス用語：
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*半導体レーザ

半導体レーザ について

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特性温度

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分類 (1件)：
分類
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半導体レーザ 
(BD04070L)

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しきい値

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量子ドットレーザ

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