文献

J-GLOBAL ID：200902138650041252   整理番号：93A0979979

GaSbとInSbのMOVPE成長に使用する材料の改良

Improved materials for MOVPE growth of GaSb and InSb.

著者 (9件)： GRAHAM R M (Univ. Oxford, Oxford, GBR) ,  JONES A C (Epichem Ltd. Bromborough, GBR) ,  MASON N J (Univ. Oxford, Oxford, GBR) ,  RUSHWORTH S (Epichem Ltd. Bromborough, GBR) ,  SALESSE A (Univ. Oxford, Oxford, GBR) ,  SEONG T-Y (Univ. Oxford, Oxford, GBR) ,  BOOKER G (Univ. Oxford, Oxford, GBR) ,  SMITH L (Epichem Ltd. Bromborough, GBR) ,  WALKER P J (Univ. Oxford, Oxford, GBR)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 8  号： 10  ページ： 1797-1802  発行年： 1993年10月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トリメチルアンチモン(TMSb)と第三ブチルジメチルアンチモ...

シソーラス用語： アンチモン化ガリウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0979979&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0503B") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaSb ,  InSb ,  MOVPE ,  成長