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J-GLOBAL ID:200902139290615038   整理番号:99A0486108

Pendeo-エピタキシー 窒化ガリウム膜の横成長のための新アプローチ

Pendeo-epitaxy: A new approach for lateral growth of gallium nitride films.
著者 (6件):
資料名:
巻: 28  号:ページ: L5-L8  発行年: 1999年04月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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[0001]方位窒化ガリウム(GaN)列の側壁から隣接したエ...
シソーラス用語:
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準シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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固体デバイス材料  ,  半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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