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J-GLOBAL ID：200902139290615038   整理番号：99A0486108

Pendeo-エピタキシー 窒化ガリウム膜の横成長のための新アプローチ

Pendeo-epitaxy: A new approach for lateral growth of gallium nitride films.

著者 (6件)： ZHELEVA T S ,  SMITH S A ,  THOMSON D B ,  LINTHICUM K J ,  RAJAGOPAL P ,  DAVIS R F
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 28  号： 4  ページ： L5-L8  発行年： 1999年04月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [0001]方位窒化ガリウム(GaN)列の側壁から隣接したエ...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (3件)： エピタキシー ,  窒化ガリウム ,  成長