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J-GLOBAL ID:200902139357251761   整理番号:00A0040765

水素注入n型シリコンにおける電子トラップの光照射誘起変換

Light-illumination-induced transformation of electron traps in hydrogen-implanted n-type silicon.
著者 (3件):
資料名:
巻: 86  号: 10  ページ: 5630-5635  発行年: 1999年11月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
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不純物・欠陥の電子構造  ,  その他の光学的効果 

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