ストレス誘起漏れ電流における捕獲中心密度に依存する非弾性トンネリング

文献

J-GLOBAL ID：200902139578357858 整理番号：02A0501704

Trap Density Dependent Inelastic Tunneling in Stress-Induced Leakage Current.

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資料名：
巻： 41 号： 4B ページ： 2645-2649 発行年： 2002年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

MOS構造におけるストレス誘起漏れ電流(SILC)に関係する...

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金属-絶縁体-半導体構造

引用文献 (22件)：

1) T. Nguyen, P. Olivo and B. Ricco: Proc. Int. Symp. Reliability Phys. (1987) p. 66.
2) K. Naruke, S. Taguchi and M. Wada: Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig. (1988) p. 424.
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5) R. Rofan and C. Hu: IEEE Electron Devices Lett. 12 (1991) 632.

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