文献

J-GLOBAL ID：200902139578357858   整理番号：02A0501704

ストレス誘起漏れ電流における捕獲中心密度に依存する非弾性トンネリング

Trap Density Dependent Inelastic Tunneling in Stress-Induced Leakage Current.

著者 (4件)： UNO S (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  DEGUCHI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KAMAKURA Y (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TANIGUCHI K (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 4B  ページ： 2645-2649  発行年： 2002年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOS構造におけるストレス誘起漏れ電流(SILC)に関係する...

シソーラス用語： *MOS構造 ,...
準シソーラス用語： 電気的ストレス

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0501704&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

引用文献 (22件)：

• 1) T. Nguyen, P. Olivo and B. Ricco: Proc. Int. Symp. Reliability Phys. (1987) p. 66.
• 2) K. Naruke, S. Taguchi and M. Wada: Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig. (1988) p. 424.
• 3) J. Maserjian and N. Zamani: J. Vac. Sci. & Technol. 20 (1982) 743.
• 4) P. Olivo and T. Nguyen: IEEE Trans. Electron Devices 35 (1988) 2259.
• 5) R. Rofan and C. Hu: IEEE Electron Devices Lett. 12 (1991) 632.

タイトルに関連する用語 (5件)： ストレス誘起漏れ電流 ,  捕獲中心 ,  密度 ,  非弾性 ,  トンネリング