斜入射MBE法によるGaAs/Al<sub>0.3</sub>Ga<sub>0.7</sub>As伝導量子細線の作製方法 (3)

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J-GLOBAL ID：200902140437138875 整理番号：96A0948489

斜入射MBE法によるGaAs/Al_0.3Ga_0.7As伝導量子細線の作製方法 (3)

Fabrication of GaAs/Al0.3Ga0.7As corductive quantum wires by glancing angle MBE. (3).

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資料名：
巻： 57th 号： 1 ページ： 221 発行年： 1996年09月
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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