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J-GLOBAL ID：200902140563355717   整理番号：99A0999407

横方向に被覆成長したエピタキシャルGaN基板上に成長させたInGaNおよびGaNの単一量子井戸構造の紫外発光ダイオード

Ultraviolet InGaN and GaN Single-Quantum-Well-Structure Light-Emitting Diodes Grown on Epitaxially Laterally Overgrown GaN Substrates.

著者 (2件)： MUKAI T (Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN) ,  NAKAMURA S (Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38  号： 10  ページ： 5735-5739  発行年： 1999年10月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板と横方向被覆エピタキシャル成長GaN(ELOG...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 横方向被覆成長 ,...

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (24件)：

• 1) For a review, see S. Nakamura and G. Fasol: The Blue Laser Diode (Springer-Verlag, Heidelberg, 1997) 1st ed.
• 2) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1332.
• 3) T. Mukai, D. Morita and S. Nakamura: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 778.
• 4) T. Mukai, H. Narimatsu and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L479.
• 5) T. Mukai, M. Yamada and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L1358.

タイトルに関連する用語 (8件)： 横方向 ,  被覆成長 ,  エピタキシャル ,  GaN ,  成長 ,  InGaN ,  単一量子井戸 ,  紫外発光ダイオード