酸素吸着Si(001)2×1及びGe(001)2×1表面の障壁高さの画像化

文献

J-GLOBAL ID：200902140698699424 整理番号：99A0662217

Barrier-Height Imaging of Oxygen-adsorbed Si(001)2×1 and Ge(001)2×1 Surfaces.

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巻： 38 号： 6B ページ： 3845-3848 発行年： 1999年06月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

超高真空走査型トンネル顕微鏡を用いて室温で実験を行った。酸素...

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物理的手法を用いた吸着の研究 , 半導体の表面構造

引用文献 (16件)：

(1) R. Wiesendanger: Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy (Cambridge University Press, Cambridge, 1994) Chap.1, p.12.
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