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J-GLOBAL ID：200902140995164165   整理番号：97A0525513

(411)A GaAs基板上にMBE成長したGaAs/(GaAs)₂(AlAs)₂共鳴トンネルダイオード

GaAs/(GaAs)2(AlAs)2 resonant tunneling diodes with super-flat (411)A interfaces grown by MBE.

著者 (7件)： 篠原啓介 (大阪大) ,  笠原健司 (大阪大) ,  清水靖之 (大阪大) ,  下村哲 (大阪大) ,  安立明 (日新電機) ,  岡本恭典 (クボタ) ,  冷水佐寿 (大阪大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 44th  号： 3  ページ： 1218  発行年： 1997年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  GaAs ,  AlAs ,  共鳴トンネルダイオード