半導体エレクトロニクス  赤外光弾性法を用いた半導体ウェハ・デバイス中のひずみ分布測定

福沢理行; CHU T; 山田正良

文献

J-GLOBAL ID：200902141246834959 整理番号：02A0761483

半導体エレクトロニクス赤外光弾性法を用いた半導体ウェハ・デバイス中のひずみ分布測定

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巻： 51 号： 9 ページ： 966-970 発行年： 2002年09月15日
JST資料番号： F0385A ISSN： 0514-5163 CODEN： ZARYA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

光・電子デバイス基板のSi,GaAsなどの半導体結晶は,結晶...

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固体デバイス計測・試験・信頼性 , 固体デバイス材料

引用文献 (11件)：

NYGREN, S. F. J. Cryst. Growth. 1973, 19, 21
DENICOLA, R. O. J. Appl. Phys. 1971, 42, 4262
YAMADA, M. Rev. Sci. Instrum. 1993, 64, 1815
YAMADA, M. 9th Conf. Semiconducting and Insulating Materials. 1996, 177
YAMADA, M. Proc. of 9th Int. Conf. on Inp and Related Materials. 1997, 209

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半導体エレクトロニクス 赤外光弾性法を用いた半導体ウェハ・デバイス中のひずみ分布測定

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