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J-GLOBAL ID：200902141902408600   整理番号：98A0254740

WSi/Tiベース電極を用いた絶縁膜埋め込み型微細InGaP/GaAsHBT

InGaP/GaAs HBT’s Fabricated Using WSi/Ti as the Base Electrode and Burying SiO₂ in the Extrinsic Collector.

著者 (6件)： 岡徹 (日立 中研) ,  平田宏治 (日立超LSIエンジニアリング) ,  大内潔 (日立 中研) ,  内山博幸 (日立 中研) ,  望月和浩 (日立 中研) ,  中村徹 (日立 中研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 97  号： 475(ED97 188-195)  ページ： 9-14  発行年： 1998年01月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： InGaP/GaAsHBTを高速でかつ低電流で動作させるため...

シソーラス用語： タングステン化合物 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： WSI ,  Ti ,  絶縁膜 ,  埋め込み ,  InGaP