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J-GLOBAL ID：200902141919650324   整理番号：93A0597470

金属および半導体表面上のイオン性絶縁体の電子的性質 Si(100),W(110)上のRbCl

Electronic properties of ionic insulators on metal and semiconductor surfaces: RbCl on Si(100) and W(110).

著者 (5件)： SOUDA R (National Inst. Research in Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  HAYAMI W (National Inst. Research in Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  AIZAWA T (National Inst. Research in Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  OTANI S (National Inst. Research in Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  ISHIZAWA Y (National Inst. Research in Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 11  号： 3  ページ： 535-538  発行年： 1993年05月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100),W(110)表面におけるRbClの結合の性質...

シソーラス用語： 吸着 ,...

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分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  イオンとの相互作用  (BK16070Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： 半導体表面 ,  イオン性 ,  絶縁体 ,  電子 ,  性質 ,  Si ,  RbCl