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J-GLOBAL ID：200902142662628043   整理番号：97A0503630

シングルイオン照射によるSi/SiO₂界面捕獲電荷生成過程の解明 (4)

Investigation of generation process of interface trapped charges induced by a single He ion. (4).

著者 (7件)： 五十嵐海 (早稲田大 理工) ,  KOH M (早稲田大 理工) ,  杉本隆昭 (早稲田大 理工) ,  松川貴 (早稲田大 理工) ,  森茂貴 (早稲田大 理工) ,  有村拓也 (早稲田大 理工) ,  大泊巌 (早稲田大 理工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 44th  号： 2  ページ： 695  発行年： 1997年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン照射 ,  Si ,  SiO2 ,  界面 ,  捕獲電荷 ,  過程