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J-GLOBAL ID：200902142969878942   整理番号：99A0419809

ゲートエッチング後の非常に薄いSiO₂下のSi基板の構造損傷の低エネルギーイオン散乱分光学による解析

Low-energy Ion-scattering Spectroscopic Analysis of Structural Damage in Si Substrate under Ultrathin SiO₂ after Gate Etching.

著者 (5件)： MATSUI M (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  UCHIDA F (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  TOKUNAGA T (Hitachi Device Dev. Center, Tokyo, JPN) ,  ENOMOTO H (Hitachi Device Dev. Center, Tokyo, JPN) ,  UMEZAWA T (Hitachi Device Dev. Center, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38  号： 4A  ページ： 2124-2130  発行年： 1999年04月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オーバーエッチング中のウエハバイアス電力とゲートエッチングに...

シソーラス用語： イオン散乱分光法 ,...

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分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

引用文献 (13件)：

• (1) H. Shin, C.C. King, T. Horiuchi and C. Hu: IEEE Electron Device Lett. 12 (1991) 404.
• (2) W. En, B.P. Linder and N.W. Cheung: J. Vac. Sci. Technol. B 14 (1996) 552.
• (3) M. Aono, M. Katayama and E. Nomura: Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 64 (1992) 29.
• (4) K. Sumitomo, K. Tanaka, I. Katayama, F. Shoji and K. Oura: Surf. Sci. 242 (1991) 90.
• (5) M. Matsui, F. Uchida, K. Nakagawa and A. Nishida: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 1937.

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲート ,  エッチング ,  SiO2 ,  Si基板 ,  構造損傷 ,  低エネルギーイオン散乱 ,  分光学 ,  解析