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J-GLOBAL ID：200902143399172885   整理番号：02A0599310

Si(111)-In(4×1)再構成上へのSb吸着による表面構造発展

Surface structure evolution during Sb adsorption on Si(111)-In(4×1) reconstruction.

著者 (4件)： GRUZNEV D V (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  RAO B V (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  TAMBO T (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  TATSUYAMA C (Toyama Univ., Toyama, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 190  号： 1/4  ページ： 134-138  発行年： 2002年05月08日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)-In(4×1)表面相上の200~400°Cにお...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  再構成 ,  Sb ,  吸着 ,  表面構造 ,  発展