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J-GLOBAL ID：200902143583007854   整理番号：00A0903087

電磁力による結晶成長過程でのけい素溶融体での酸素原子輸送の制御

Control of Oxygen-Atom Transport in Silicon Melt during Crystal Growth by Electromagnetic Force.

著者 (4件)： WATANABE M (NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  WANG W (NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  EGUCHI M (NEC Corp., Tsukuba, JPN) ,  HIBIYA T (NEC Corp., Tsukuba, JPN)
資料名： Materials Transactions, JIM(Japan Institute of Metals)  (Materials Transactions, JIM(Japan Institute of Metals))
巻： 41  号： 8  ページ： 1013-1018  発行年： 2000年08月20日 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 0916-1821  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ULSI用Si大型結晶(直径>300mm)成長向けに,溶融S...

シソーラス用語： *磁場効果 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (12件)：

• TAKADA, K. Semiconductor Silicon 1998. 1998, 376-395
• HOSHI, K. J. Electrochem. Soc. 1985, 132, 693-700
• HOSHIKAWA, K. Jpn. J. Appl. Phys. 1984, 23, L37-L39
• HIRATA, H. J. Cryst. Growth. 1989, 96, 747-755
• WATANABE, M. J. Cryst. Growth. 1998, 193, 402-412

タイトルに関連する用語 (7件)： 電磁力 ,  結晶 ,  成長過程 ,  けい素 ,  溶融体 ,  酸素原子 ,  輸送