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J-GLOBAL ID：200902143985891157   整理番号：01A0428297

CVD材料プロセス 概要設計を目的とした基板加熱型CVD反応器のモデル化

CVD Material Processing. Modeling of Hot Wall Type CVD Reactor for Prototype Design.

著者 (3件)： 大木亨二 (東大 大学院工学系研究科) ,  江頭靖幸 (東大 大学院工学系研究科) ,  小宮山宏 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 化学工学論文集
巻： 26  号： 6  ページ： 798-803  発行年： 2000年11月10日 
JST資料番号： S0110B  ISSN： 0386-216X  CODEN： KKRBAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 基板加熱型CVD反応器で,シャワーヘッドで均一にガスを供給す...

シソーラス用語： *化学蒸着 ,...
準シソーラス用語： 基板加熱型CVD反応器 ,...

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分類 (1件)： 薄膜一般  (BK14010X)

引用文献 (6件)：

• Akiyama, Y., T. Sato and N. Imaishi; “Reaction Analysis for ZrO2 and Y2O3 Thin Film Growth by LPCVD using β-diketonate Complexes, ” J. Crystal Growth, 147, 130-146 (1995)
• Kagakukougakukai ed.; CVD Handbook, p.290, Asakurasyoten, Tokyo, Japan (1991)
• Kleijn, C.R. and C. Werner; Modeling of Chemical Vapor Deposition of Tungsten Films, Birkhauer, Basel, Switzerland (1993)
• Saito, T., Y. Shimogaki, Y. Egashira, H. Komiyama, Y. Yuyama and K. Sugawara; “Conformal Deposition of Wsix Films on Micorn-sized Trenches: the Reactivity of Film Precuresors, ” Applied Physics Letters, 61, 764-765 (1992)
• Sugiyama, M., H. Itoh, J. Aoyama, H. Komiyama and Y. Shimogaki; “Reaction Analysis of Aluminum Chemical Vapor Deposition from Dimethylaluminumhydride using Tubular Reactor and Fourier Transform Infrared Spectroscopy: Theoretical Process Optimization Procedure (1), ” Japanese Journal of Applied Physics.

タイトルに関連する用語 (6件)： CVD ,  材料プロセス ,  概要 ,  設計 ,  反応器 ,  モデル化