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J-GLOBAL ID：200902186005020040   整理番号：97A0501308

絶縁体上シリコン構造を用いることによる反応性イオンエッチング中の電荷蓄積の減少

Reduction of Charge Build-Up during Reactive Ion Etching by Using Silicon-On-Insulator Structures.

著者 (3件)： ARITA K (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  AKAMATSU M (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  ASANO T (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 3B  ページ： 1505-1508  発行年： 1997年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性イオンエッチング中の絶縁体上Si(SOI)構造の電荷蓄...

シソーラス用語： *RIE【エッチング】 ,...
準シソーラス用語： 電荷蓄積

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分類 (3件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (6件)：

• WATANABE, T. Solid State Technol. 1984, 4, 263
• MURAKAWA, S. Proc.Symp.Dry Process. 1993, 39
• ARITA, K. Tech.Dig.1996 Microprocess Conf. 1996, 158
• LAI, K. IEEE Electron Device Lett. 1996, 17, 82
• MCVITTIE, J. P. Proc.1st Int.Symp.Plasma Process-Induced Damage. 1996, 7

タイトルに関連する用語 (4件)： 絶縁体 ,  シリコン ,  反応性イオンエッチング ,  電荷蓄積