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J-GLOBAL ID：200902144331662171   整理番号：98A0587904

ダイヤモンド陰極を低温にした直流放電プラズマCVD法によるダイヤモンド薄膜の合成

Diamond Films Synthesized by DC Plasma CVD with a Diamond Cathode at Low Temperature.
著者 (4件)：
阿部匡朗

阿部匡朗 について

(東海大 工)

東海大 工 について

, 
広沢さくら

広沢さくら について

(東海大 工)

東海大 工 について

, 
山中博

山中博 について

(トーメイダイヤ)

トーメイダイヤ について

, 
広瀬洋一

広瀬洋一 について

(東海大 工)

東海大 工 について


資料名：
表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)

表面技術 について


巻： 49  号： 6  ページ： 655-656  発行年： 1998年06月 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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陰極にダイヤモンドを使用し,温度を以前の実験の900°Cから7...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*プラズマCVD

プラズマCVD について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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圧力依存性

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分類 (2件)：
分類
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炭素とその化合物 
(YB02060D)

炭素とその化合物 について

,  その他の無機化合物の薄膜 
(BK14060A)

その他の無機化合物の薄膜 について

引用文献 (3件)：
タイトルに関連する用語 (7件)：
タイトルに関連する用語
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ダイヤモンド

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陰極

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低温

低温 について

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直流

直流 について

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放電

放電 について

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プラズマCVD法

プラズマCVD法 について

, 
ダイヤモンド薄膜

ダイヤモンド薄膜 について


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