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J-GLOBAL ID：200902144965462299   整理番号：93A0673520

反応性イオンエッチングにおける局所電場効果

Local Electric Field Effect in Reactive Ion Etching.
著者 (2件)：
ARDEHALI M

ARDEHALI M について

(NEC Corp., Kanagawa)

NEC Corp., Kanagawa について

, 
MATSUMOTO H

MATSUMOTO H について

(NEC Corp., Kanagawa)

NEC Corp., Kanagawa について


資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers について


巻： 32  号： 6B  ページ： 3029-3034  発行年： 1993年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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RIE条件のもとで,トレンチの形状による局所電場の摂動がイオ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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RIE【エッチング】

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分類 (2件)：
分類
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プラズマ応用 
(BJ02110K)

プラズマ応用 について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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反応性イオンエッチング

反応性イオンエッチング について

, 
電場効果

電場効果 について


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