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J-GLOBAL ID：200902145093666941   整理番号：00A0795792

急冷したSi(111)表面上の最小の二量体-吸着原子-積層欠陥ドメインの走査型トンネル顕微鏡観察

Scanning Tunneling Microscopy Observation of the Formation of the Smallest Dimer-Adatom-Stacking-fault Domain on a Quenched Si(111) Surface.

著者 (4件)： SHIMADA W (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TOCHIHARA H (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SATO T (JEOL Ltd., Tokyo, JPN) ,  IWATSUKI M (JEOL Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 39  号： 7B  ページ： 4408-4411  発行年： 2000年07月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 急冷したSi(111)表面上の再構成されていない領域における...

シソーラス用語： *表面構造 ,...
準シソーラス用語： 分域成長

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分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

引用文献 (17件)：

• 1) K. Takayanagi, Y. Tanishiro, M. Takahashi and S. Takahashi: J. Vac. Sci. & Technol. B <B>4</B> (1985) 1079.
• 2) K. Takayanagi, Y. Tanishiro, S. Takahashi and M. Takahashi: Surf. Sci. 164 (1985) 367.
• 3) Y.-N. Yang and E. D. Williams: Phys. Rev. Lett. 72 (1994) 1862.
• 4) T. Hoshino, K. Kumamoto, K. Kokubun, T. Ishimaru and I. Ohdomari: Phys. Rev. B 51 (1995) 14594.
• 5) T. Hoshino, K. Kokubun, K. Kumamoto, T. Ishimaru and I. Ohdomari: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 3346.

タイトルに関連する用語 (7件)： 急冷 ,  Si ,  二量体 ,  吸着原子 ,  積層欠陥 ,  ドメイン ,  走査型トンネル顕微鏡観察