文献

J-GLOBAL ID：200902145110208960   整理番号：00A0908658

低温度依存性の圧縮歪InGaAsP活性領域(λ=0.78~0.85μm)のダイオードレーザ

Low-Temperature Sensitive, Compressively Strained InGaAsP Active (λ=0.78-0.85μm) Region Diode Lasers.

著者 (3件)： TANSU N (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA) ,  ZHOU D ,  MAWST L J (Univ. Wisconsin-Madison, WI, USA)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 12  号： 6  ページ： 603-605  発行年： 2000年06月 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧MOCVD成長による,λ=0.78~0.85μmの赤外領...

シソーラス用語： *量子井戸レーザ ,...
準シソーラス用語： VCSEL ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0908658&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=T0721A") }}

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 温度依存性 ,  圧縮歪 ,  InGaAsP ,  活性領域 ,  ダイオードレーザ