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J-GLOBAL ID：200902145460679249   整理番号：96A0602609

BCl₃/SF₆プラズマを用いたGaNの反応性イオンエッチング

Reactive ion etching of GaN with BCl₃/SF₆ plasmas.

著者 (4件)： FENG M S (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  GUO J D (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  LU Y M (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG E Y (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 45  号： 1  ページ： 80-83  発行年： 1996年07月 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低圧有機金属化学蒸着によって成長させた高品質GaN膜を使って...

シソーラス用語： 塩化ホウ素 ,...
準シソーラス用語： エッチ速度

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分類 (2件)： 試料技術  (BA02070O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： BCl3 ,  SF6 ,  プラズマ ,  GaN ,  反応性イオンエッチング