高kゲート誘電体に関するエネルギーバンド整列及びギャップ状態密度分布の光電子放出研究

MIYAZAKI S

文献

J-GLOBAL ID：200902145691069354 整理番号：02A0173252

高kゲート誘電体に関するエネルギーバンド整列及びギャップ状態密度分布の光電子放出研究

Photoemission study of energy-band alignments and gap-state density distributions for high-k gate dielectrics.

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著者 (1件)：
資料名：
巻： 19 号： 6 ページ： 2212-2216 発行年： 2001年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

薄いゲート絶縁体のエネルギーバンドギャップをO1s光電子のエ...

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表面の電子構造 , 電子分光スペクトル

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