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J-GLOBAL ID：200902145691069354   整理番号：02A0173252

高kゲート誘電体に関するエネルギーバンド整列及びギャップ状態密度分布の光電子放出研究

Photoemission study of energy-band alignments and gap-state density distributions for high-k gate dielectrics.
著者 (1件)：
MIYAZAKI S

MIYAZAKI S について

(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)

Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN について


資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures について


巻： 19  号： 6  ページ： 2212-2216  発行年： 2001年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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薄いゲート絶縁体のエネルギーバンドギャップをO1s光電子のエ...
シソーラス用語：
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ゲート【半導体】

ゲート【半導体】 について

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光電子収率分光法

光電子収率分光法 について


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分類 (2件)：
分類
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エネルギー

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分布

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光電子放出

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, 
研究

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