シランのグロー放電プラズマにおける電子温度への高次のシラン形成の効果

TAKAI M; NISHIMOTO T; KONDO M; MATSUDA A

文献

J-GLOBAL ID：200902145878771222 整理番号：01A0016979

シランのグロー放電プラズマにおける電子温度への高次のシラン形成の効果

Effect of higher-silane formation on electron temperature in a silane glow-discharge plasma.

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資料名：
巻： 77 号： 18 ページ： 2828-2830 発行年： 2000年10月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

水素化非晶質Si薄膜を作製する際のシランのグロー放電プラズマ...

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半導体薄膜 , 気体放電

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