Si基板上のHfO<sub>2</sub>膜のエッチング特性

NORASETTHEKUL S; PARK P Y; BAIK K H; LEE K P; SHIN J H; JEONG B S; SHISHODIA V; NORTON D P; PEARTON S J

文献

J-GLOBAL ID：200902146587535927 整理番号：02A0372797

Si基板上のHfO₂膜のエッチング特性

Etch characteristics of HfO₂ films on Si substrates.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=02A0372797&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0372797&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0707B") }}

著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 187 号： 1/2 ページ： 75-81 発行年： 2002年02月14日
JST資料番号： B0707B ISSN： 0169-4332 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

Cl₂,SF₆又...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0372797&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0707B") }}

プラズマ応用 , 固体デバイス製造技術一般

, ,

前のページに戻る

Si基板上のHfO2膜のエッチング特性

Si基板上のHfO₂膜のエッチング特性