文献
J-GLOBAL ID：200902147508033780
整理番号：00A0751686
二重ビームエキシマレーザと厚い酸化層部分による大型Si粒の位置制御
Location-Control of Large Si Grains by Dual-Beam Excimer-Laser and Thick Oxide Portion.
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著者 (3件)：
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資料名：
巻：
39
号：
7A
ページ：
3872-3878
発行年：
2000年07月15日
JST資料番号：
G0520B
ISSN：
0021-4922
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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a-Si層,こぶのアレイを持つSiO
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シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜
, レーザ照射・損傷
タイトルに関連する用語 (6件)：
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