文献

J-GLOBAL ID：200902163457304755   整理番号：98A0016820

エキシマレーザを利用した単結晶シリコン薄膜トランジスタの製作

Excimer-Laser-Produced Single-Crystal Silicon Thin-Film Transistors.

著者 (2件)： ISHIHARA R (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MATSUMURA M (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 10  ページ： 6167-6170  発行年： 1997年10月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エキシマレーザ結晶化法を利用して,ガラス基板上の巨大粒(平均...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： レーザ結晶化

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0016820&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (15件)：

• 1) T. Sameshima, S. Usui and M. Sekiya: IEEE Electron Device Lett. 7 (1986) 276.
• 2) S. M. Sze: <i> Physics of Semiconductor Devices</i> (John Wiley & Sons, New York, 1981) 2nd ed., p. 448.
• 3) S. K. Madan and D. A. Antoniadis: IEEE Trans. Electron Devices 33 (1986) 1518.
• 4) T. Tanaka, K. Nakazawa, S. Suyama and K. Katoh: IEEE Trans. Electron Devices 39 (1992) 916.
• 5) S. Seki, O. Kogure and B. Tsujiyama: IEEE Electron Device Lett. 8 (1987) 434.

タイトルに関連する用語 (4件)： エキシマレーザ ,  単結晶シリコン ,  薄膜トランジスタ ,  製作